IRLML2402TRPBF
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
НОВА часть #:
312-2281860-IRLML2402TRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRLML2402TRPBF
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | Micro3™/SOT-23 | |
| Базовый номер продукта | IRLML2402 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.7V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 930mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 700mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 3.9 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 110 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 540mW (Ta) | |
| Другие имена | IRLML2402GTRPBFCT IRLML2402PBFTR IRLML2402GTRPBFDKR IRLML2402GTRPBF IRLML2402GTRPBFTR-ND *IRLML2402TRPBF IRLML2402GTRPBFCT-ND IRLML2402GTRPBFDKR-ND SP001552710 IRLML2402PBFCT IRLML2402GTRPBFTR IRLML2402PBFDKR Q9394462AAA IRLML2402GTRPBF-ND SP001572972 |
In stock Нужно больше?
0,05300 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRLML6302TRPBFInfineon Technologies
IRLML2402GTRPBFInternational Rectifier
AO3424Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MBR0520LT1Gonsemi- IRLML6401TRPBFInfineon Technologies
ZXM61N02FTADiodes Incorporated
SN74LVC1G08DCKRTexas Instruments
PJA3436-AU_R1_000A1Panjit International Inc.- IRLML6402TRPBFInfineon Technologies
