NVGS5120PT1G

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

НОВА часть #:

312-2292405-NVGS5120PT1G

Производитель:

Номер детали производителя:

NVGS5120PT1G

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

P-Channel 60 V 1.8A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	6-TSOP
Базовый номер продукта	NVGS5120
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	1.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	111mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	18.1 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	942 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	600mW (Ta)
Другие имена	NVGS5120PT1GOSCT NVGS5120PT1GOSDKR NVGS5120PT1G-ND NVGS5120PT1GOSTR