SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2282266-SQJ457EP-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQJ457EP-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 36A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SQJ457 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 36A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3400 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 68W (Tc) | |
| Другие имена | SQJ457EP-T1_GE3DKR SQJ457EP-T1_GE3CT SQJ457EP-T1_GE3TR |
In stock Нужно больше?
1,04850 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SQJ459EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SI1902CDL-T1-GE3Vishay Siliconix
SI7469DP-T1-E3Vishay Siliconix
STUSB4500QTRSTMicroelectronics
LM2903QPWRG4Q1Texas Instruments
TPS74601PBDRVRTexas Instruments
SN65HVD1476DGSRTexas Instruments- SQJ409EP-T1_GE3Vishay Siliconix
AP22804AM8-13Diodes Incorporated
SQJA37EP-T1_GE3Vishay Siliconix- LM2903VQPWRG4Q1Texas Instruments
- STUSB4700QTRSTMicroelectronics
