IPC50N04S55R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
НОВА часть #:
312-2282384-IPC50N04S55R8ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPC50N04S55R8ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-33 | |
| Базовый номер продукта | IPC50N04 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.4V @ 13µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1090 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 42W (Tc) | |
| Другие имена | IPC50N04S55R8ATMA1CT 2156-IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1TR IPC50N04S55R8ATMA1DKR SP001418130 INFINFIPC50N04S55R8ATMA1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IS25LP064D-JBLA3ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IPB180N04S4H0ATMA1Infineon Technologies
IPC50N04S5L5R5ATMA1Infineon Technologies
IPC100N04S51R2ATMA1Infineon Technologies
TCAN1044AVDRBRQ1Texas Instruments
TLIN1029AMDRBRQ1Texas Instruments- IPC100N04S52R8ATMA1Infineon Technologies
DMNH4006SPSQ-13Diodes Incorporated
NVTFS5C658NLWFTAGonsemi
NRVTS2H60ESFT1Gonsemi
TPS7B8250QDGNRQ1Texas Instruments
