SIHD12N50E-GE3
MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
НОВА часть #:
312-2264425-SIHD12N50E-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIHD12N50E-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 550 V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount D-Pak
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TA) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D-Pak | |
| Базовый номер продукта | SIHD12 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | E | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 10.5A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 550 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 886 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 114W (Tc) | |
| Другие имена | SIHD12N50E-GE3CT SIHD12N50E-GE3TRINACTIVE SIHD12N50E-GE3DKR-ND SIHD12N50E-GE3DKRINACTIVE SIHD12N50E-GE3DKR SIHD12N50E-GE3TR-ND SIHD12N50E-GE3CT-ND SIHD12N50E-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTD360N65S3Honsemi
STD15N50M2AGSTMicroelectronics