FDB1D7N10CL7
MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
НОВА часть #:
312-2312006-FDB1D7N10CL7
Производитель:
Номер детали производителя:
FDB1D7N10CL7
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 268A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK (TO-263) | |
| Базовый номер продукта | FDB1D7 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 268A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.65mOhm @ 100A, 15V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 700µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 163 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 11600 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 250W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
XK1R9F10QB,LXGQToshiba Semiconductor and Storage- TK160F10N1L,LQToshiba Semiconductor and Storage
STH310N10F7-6STMicroelectronics
PSMN3R7-100BSEJNexperia USA Inc.- IPB020N10N5ATMA1Infineon Technologies
- STH315N10F7-6STMicroelectronics
IPB017N10N5LFATMA1Infineon Technologies
FDB0190N807Lonsemi
IPT020N10N5ATMA1Infineon Technologies- IPB025N10N3GATMA1Infineon Technologies
NTBLS1D1N08Honsemi- IPB019N08N3GATMA1Infineon Technologies
