IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
НОВА часть #:
312-2288166-IPD80P03P4L07ATMA2
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD80P03P4L07ATMA2
Стандартный пакет:
2,500
P-Channel 30 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3-11 | |
| Базовый номер продукта | IPD80P03 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 80A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 130µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | +5V, -16V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5700 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 88W (Tc) | |
| Другие имена | 448-IPD80P03P4L07ATMA2CT 448-IPD80P03P4L07ATMA2DKR SP002325740 448-IPD80P03P4L07ATMA2TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPD068P03L3GATMA1Infineon Technologies- IPD80P03P4L07ATMA1Infineon Technologies
AOD21357Alpha & Omega Semiconductor Inc.