IPD80P03P4L07ATMA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
НОВА часть #:
312-2288163-IPD80P03P4L07ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD80P03P4L07ATMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3-11 | |
| Базовый номер продукта | IPD80P03 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 80A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 130µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | +5V, -16V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5700 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 88W (Tc) | |
| Другие имена | IPD80P03P4L07ATMA1CT IPD80P03P4L-07INCT-ND IPD80P03P4L-07 IPD80P03P4L07 IPD80P03P4L-07INTR-ND SP000396296 IPD80P03P4L-07INDKR IPD80P03P4L-07INCT IPD80P03P4L-07-ND INFINFIPD80P03P4L07ATMA1 IPD80P03P4L-07INDKR-ND 2156-IPD80P03P4L07ATMA1 IPD80P03P4L-07INTR IPD80P03P4L07ATMA1TR IPD80P03P4L07ATMA1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MX25R6435FM2IL0Macronix
AP7362-33SP-13Diodes Incorporated
IPD90P03P4L04ATMA1Infineon Technologies
BQ27531YZFR-G1Texas Instruments
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon Technologies
NX3215SA-32.768KHZ-EXS00A-MU00525NDK America, Inc.
ST3232BTRSTMicroelectronics
