IPD068P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
НОВА часть #:
312-2280972-IPD068P03L3GATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD068P03L3GATMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 70A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 | |
| Базовый номер продукта | IPD068 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 70A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 70A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 150µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 91 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7720 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 100W (Tc) | |
| Другие имена | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND SP001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
RV-1805-C3-32.768KHZ-2PPM-TA-QCMicro Crystal AG
FCP600N60Zonsemi
MMBT3904L RFGTaiwan Semiconductor Corporation
BQ29700DSERTexas Instruments
FCX493TADiodes Incorporated
BQ24650RVARTexas Instruments
AOD21357Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon Technologies
IPD031N06L3GATMA1Infineon Technologies- AOD417Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- IPD042P03L3GATMA1Infineon Technologies
