SI2306BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2285209-SI2306BDS-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI2306BDS-T1-E3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 3.16A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SI2306 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.16A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 3.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.5 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 305 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 750mW (Ta) | |
| Другие имена | SI2306BDS-T1-E3DKR SI2306BDS-T1-E3CT SI2306BDS-T1-E3TR SI2306BDST1E3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSS316NH6327XTSA1Infineon Technologies
MIC5307-3.0YD5-TRMicrochip Technology
ACASA1001U1001P1ATVishay Beyschlag/Draloric/BC Components
DMN3053L-7Diodes Incorporated- SI2393DS-T1-GE3Vishay Siliconix
2N7002KMDD- SI2300DS-T1-GE3Vishay Siliconix
APT2012CGCKKingbright- SI2304DDS-T1-BE3Vishay Siliconix
BSH205G2RNexperia USA Inc.
450404015514Würth Elektronik- DMG2302UK-7Diodes Incorporated
DMN100-7-FDiodes Incorporated
MMBT3904-HFComchip Technology
