SQ2337ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2285464-SQ2337ES-T1_BE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQ2337ES-T1_BE3
Стандартный пакет:
3,000
P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SQ2337 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.2A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 1.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 620 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SQ2337ES-T1_BE3DKR 742-SQ2337ES-T1_BE3CT 742-SQ2337ES-T1_BE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDV304Ponsemi
B360AQ-13-FDiodes Incorporated- SQ2337ES-T1_GE3Vishay Siliconix
ISL8491EIBZRenesas Electronics America Inc
DMP6350S-7Diodes Incorporated- SQ2361AEES-T1_BE3Vishay Siliconix
- DMP10H4D2S-7Diodes Incorporated
- 2N7002E-7-FDiodes Incorporated
- BSS83PH6327XTSA1Infineon Technologies
- SQ2309ES-T1_BE3Vishay Siliconix
- DMN10H220L-7Diodes Incorporated
- DMG2302U-7Diodes Incorporated
TJA1042T/3/1JNXP USA Inc.- SQ2398ES-T1_GE3Vishay Siliconix
