2N7002E-7-F
MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
НОВА часть #:
312-2280581-2N7002E-7-F
Производитель:
Номер детали производителя:
2N7002E-7-F
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 | |
| Базовый номер продукта | 2N7002 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 250mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 250mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.22 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 50 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 370mW (Ta) | |
| Другие имена | 2N7002E-FDIDKR 2N7002E-7-F-ND 2N7002E7F 2N7002E-FDITR 2N7002E-FDICT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDV304Ponsemi
DMN6140L-7Diodes Incorporated
2N7002KMDD
MM3Z3V9ST1Gonsemi
2N7002NTE Electronics, Inc
ST4ETA103Nidec Copal Electronics
BSS138DW-7-FDiodes Incorporated
MMBT3904LT1Gonsemi- 2N7002K-T1-E3Vishay Siliconix
- BC807-40-7-FDiodes Incorporated
431256031716Würth Elektronik- 2N7002ET1Gonsemi
MMBTA92,215Nexperia USA Inc.- 2N7002,215Nexperia USA Inc.
2N7002Tonsemi
