SISA18ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
НОВА часть #:
312-2276147-SISA18ADN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SISA18ADN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 38.3A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 | |
| Базовый номер продукта | SISA18 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 38.3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8 | |
| VGS (макс.) | +20V, -16V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1000 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) | |
| Другие имена | SISA18ADN-T1-GE3CT SISA18ADN-T1-GE3TR SISA18ADN-T1-GE3-ND SISA18ADN-T1-GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TPD12S016PWRTexas Instruments
SIS427EDN-T1-GE3Vishay Siliconix
W25Q64JVSSIM TRWinbond Electronics
SISA96DN-T1-GE3Vishay Siliconix
LTST-S270TBKTLite-On Inc.- SISA14DN-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIS412DN-T1-GE3Vishay Siliconix
RXR035N03TCLRohm Semiconductor- SISA24DN-T1-GE3Vishay Siliconix
NTS0104PW,118NXP USA Inc.- SI7114ADN-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIS476DN-T1-GE3Vishay Siliconix