SIS476DN-T1-GE3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта	SIS476
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	40A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	77 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® 1212-8
VGS (макс.)	+20V, -16V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3595 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Другие имена	SIS476DN-T1-GE3DKR SIS476DNT1GE3 SIS476DN-T1-GE3TR SIS476DN-T1-GE3CT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!