IXFN360N10T
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
НОВА часть #:
312-2283926-IXFN360N10T
Производитель:
Номер детали производителя:
IXFN360N10T
Стандартный пакет:
10
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 360A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Chassis Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-227B | |
| Базовый номер продукта | IXFN360 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HiPerFET™, Trench | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 360A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 180A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 505 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-227-4, miniBLOC | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 36000 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 830W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXFK360N15T2IXYS
VS-FC270SA20Vishay General Semiconductor - Diodes Division
IXTN600N04T2IXYS- IXTN400N15X4IXYS
VS-FC420SA10Vishay General Semiconductor - Diodes Division- IXFN420N10TIXYS
- VS-FC420SA15Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- IXFN300N20X3IXYS
- IXFK360N10TIXYS
- IXTN660N04T4IXYS
- IXFN200N10PIXYS
- IXFN520N075T2IXYS