IXFN200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
НОВА часть #:
312-2276618-IXFN200N10P
Производитель:
Номер детали производителя:
IXFN200N10P
Стандартный пакет:
10
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Chassis Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-227B | |
| Базовый номер продукта | IXFN200 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HiPerFET™, Polar | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 200A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 8mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 235 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-227-4, miniBLOC | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7600 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 680W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXFN140N30PIXYS
VS-FC270SA20Vishay General Semiconductor - Diodes Division- IXTN600N04T2IXYS
- IXFN180N15PIXYS
- IXFN360N10TIXYS
VS-FC420SA10Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VMO1200-01FIXYS- IXTN660N04T4IXYS
- IXFN360N15T2IXYS
- IXFN300N10PIXYS