BSZ160N10NS3GATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TSDSON-8
Базовый номер продукта	BSZ160
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	8A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.5V @ 12µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1700 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.1W (Ta), 63W (Tc)
Другие имена	BSZ160N10NS3 GINTR-ND BSZ160N10NS3 G-ND BSZ160N10NS3 GINDKR-ND BSZ160N10NS3GATMA1CT BSZ160N10NS3 GINCT-ND BSZ160N10NS3G BSZ160N10NS3 GINDKR SP000482390 BSZ160N10NS3 GINTR BSZ160N10NS3 G BSZ160N10NS3GATMA1DKR BSZ160N10NS3GATMA1TR BSZ160N10NS3 GINCT