IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
НОВА часть #:
312-2281996-IRLML6401TRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRLML6401TRPBF
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 12 V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | Micro3™/SOT-23 | |
| Базовый номер продукта | IRLML6401 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4.3A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4.3A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 950mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 830 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.3W (Ta) | |
| Другие имена | IRLML6401GTRPBF-ND IRLML6401GTRPBF IRLML6401PBFCT SP001577044 IRLML6401GTRPBFCT IRLML6401GTRPBFTR IRLML6401GTRPBFDKR IRLML6401GTRPBFCT-ND IRLML6401GTRPBFDKR-ND IRLML6401GTRPBFTR-ND IRLML6401PBFDKR SP001568584 IRLML6401PBFTR *IRLML6401TRPBF |
In stock Нужно больше?
0,05340 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRLML2502TRPBFInfineon Technologies
LTST-C191KFKTLite-On Inc.
TXS0102DCURTexas Instruments
BSS138-7-FDiodes Incorporated
MCP809T-270I/TTMicrochip Technology
NCP511SN33T1Gonsemi
SI2315BDS-T1-E3Vishay Siliconix- IRLML2402TRPBFInfineon Technologies
