IRLML6302TRPBF

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	Micro3™/SOT-23
Базовый номер продукта	IRLML6302
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	780mA (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	3.6 nC @ 4.45 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VGS (макс.)	±12V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	97 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	540mW (Ta)
Другие имена	IRLML6302GTRPBF SP001574060 IRLML6302PBFDKR *IRLML6302TRPBF IRLML6302GTRPBFCT IRLML6302GTRPBFTR IRLML6302GTRPBFTR-ND IRLML6302GTRPBF-ND IRLML6302PBFTR SP001550492 IRLML6302GTRPBFCT-ND IRLML6302PBFCT