SCT30N120

SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
НОВА часть #:
312-2283922-SCT30N120
Производитель:
Номер детали производителя:
SCT30N120
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:

N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительSTMicroelectronics
RoHS 1
Рабочая Температура -55°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепленияThrough Hole
Пакет устройств поставщика HiP247™
Базовый номер продукта SCT30
ТехнологииSiCFET (Silicon Carbide)
Ряд-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (макс.) @ Id 2.6V @ 1mA (Typ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 105 nC @ 20 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейсTO-247-3
VGS (макс.)+25V, -10V
Тип полевого транзистораN-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)1200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1700 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 270W (Tc)
Другие имена497-14960

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.