SCT50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
НОВА часть #:
312-2273525-SCT50N120
Производитель:
Номер детали производителя:
SCT50N120
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | HiP247™ | |
| Базовый номер продукта | SCT50 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 65A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 40A, 20V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 122 nC @ 20 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | +25V, -10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1900 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 318W (Tc) | |
| Другие имена | -1138-SCT50N120 497-16598-5 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTHL020N120SC1onsemi
SCTW100N65G2AGSTMicroelectronics
C3M0021120DWolfspeed, Inc.- SCTWA50N120STMicroelectronics
- C3M0040120DWolfspeed, Inc.
- SCT30N120STMicroelectronics
- SCTW90N65G2VSTMicroelectronics