SCTW100N65G2AG
SICFET N-CH 650V 100A HIP247
НОВА часть #:
312-2283943-SCTW100N65G2AG
Производитель:
Номер детали производителя:
SCTW100N65G2AG
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 100A (Tc) 420W (Tc) Through Hole HiP247™
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | HiP247™ | |
| Базовый номер продукта | SCTW100 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 50A, 18V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 5mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 162 nC @ 18 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | +22V, -10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3315 pF @ 520 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 420W (Tc) | |
| Другие имена | 497-SCTW100N65G2AG |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SCT3022KLHRC11Rohm Semiconductor
SCTW70N120G2VSTMicroelectronics
MSC015SMA070BMicrochip Technology
AIMW120R045M1XKSA1Infineon Technologies
SCTWA90N65G2V-4STMicroelectronics
NVHL025N65S3onsemi
STW68N65DM6-4AGSTMicroelectronics
SCTH100N65G2-7AGSTMicroelectronics
STTH60RQ06WYSTMicroelectronics- SCT3030ALHRC11Rohm Semiconductor
- SCT3022ALHRC11Rohm Semiconductor