AIMW120R045M1XKSA1

SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3

НОВА часть #:

312-2283882-AIMW120R045M1XKSA1

Производитель:

Номер детали производителя:

AIMW120R045M1XKSA1

Стандартный пакет:

N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Рабочая Температура	-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO247-3
Базовый номер продукта	AIMW120
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, CoolSiC™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5.7V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	57 nC @ 15 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-247-3
VGS (макс.)	+20V, -7V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2130 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	228W (Tc)
Другие имена	SP002472666 448-AIMW120R045M1XKSA1

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!