SI2324DS-T1-GE3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-23-3 (TO-236)
Базовый номер продукта	SI2324
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	2.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	234mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.9V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	10.4 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	190 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Другие имена	SI2324DS-T1-GE3DKR SI2324DS-T1-GE3CT SI2324DS-T1-GE3TR SI2324DS-T1-GE3-ND

In stock Нужно больше?

0,32460 $

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!