SI2324DS-T1-BE3
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
НОВА часть #:
312-2285245-SI2324DS-T1-BE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI2324DS-T1-BE3
Стандартный пакет:
3,000
N-Channel 100 V 1.6A (Ta), 2.3A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SI2324 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.6A (Ta), 2.3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 234mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.8V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 10.4 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 190 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SI2324DS-T1-BE3TR 742-SI2324DS-T1-BE3DKR 742-SI2324DS-T1-BE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TLV73311PQDBVRQ1Texas Instruments
CDBA2200-HFComchip Technology
24AA52-I/SNMicrochip Technology
TPH4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
SI2307CDS-T1-E3Vishay Siliconix- SI2392ADS-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI2324DS-T1-GE3Vishay Siliconix
430182050816Würth Elektronik
CM8V-T1A-32.768KHZ-6PF-20PPM-TA-QCMicro Crystal AG
MMSZ5246BT1Gonsemi
BSS123LT1Gonsemi
