IRFB3207ZPBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB

НОВА часть #:

312-2283369-IRFB3207ZPBF

Производитель:

Номер детали производителя:

IRFB3207ZPBF

Стандартный пакет:

100

Технический паспорт:

N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220AB
Базовый номер продукта	IRFB3207
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	120A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	170 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-220-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	75 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	6920 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	300W (Tc)
Другие имена	SP001575584