IRFH9310TRPBF
MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
НОВА часть #:
312-2288099-IRFH9310TRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRFH9310TRPBF
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | IRFH9310 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 21A (Ta), 40A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 21A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 100µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 58 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5250 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.1W (Ta) | |
| Другие имена | IRFH9310TRPBFDKR SP001556540 IRFH9310TRPBFTR IRFH9310TRPBFCT IRFH9310TRPBF-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STPS5H100AFYSTMicroelectronics
IRFB7537PBFInfineon Technologies
IRFP4368PBFInfineon Technologies- IRFB4115PBFInfineon Technologies
MCP6L01T-E/OTMicrochip Technology
IRFML8244TRPBFInfineon Technologies- IRFP4468PBFInfineon Technologies
EV1HMC1094LP3Analog Devices Inc.
IRFR4615TRLPBFInfineon Technologies- IRFB4227PBFInfineon Technologies
