DMN30H4D1S-7

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Diodes Incorporated
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-23-3
Базовый номер продукта	DMN30
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	430mA (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	4.8 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	300 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	174 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	360mW (Ta)
Другие имена	DMN30H4D1S-7DI

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!