DMN24H3D5L-7
MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
НОВА часть #:
312-2280722-DMN24H3D5L-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN24H3D5L-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 240 V 480mA (Ta) 760mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN24 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 480mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 3.3V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 300mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.6 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 240 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 188 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 760mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN24H3D5L-7DICT DMN24H3D5L-7DIDKR DMN24H3D5L-7DITR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN63D8L-7Diodes Incorporated
RUM001L02T2CLRohm Semiconductor
TP5335K1-GMicrochip Technology
FDN86246onsemi
BSR92PH6327XTSA1Infineon Technologies- DMP10H4D2S-7Diodes Incorporated
1N4746A-TAPVishay General Semiconductor - Diodes Division- ZVP1320FTADiodes Incorporated
MBR0520LT1Gonsemi- FMMT495TCDiodes Incorporated
- DMN61D8L-7Diodes Incorporated
- DMN30H4D1S-7Diodes Incorporated
- BSS131H6327XTSA1Infineon Technologies
