FDD8896
MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
НОВА часть #:
312-2280520-FDD8896
Производитель:
Номер детали производителя:
FDD8896
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 94A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FDD889 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 17A (Ta), 94A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 35A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2525 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 80W (Tc) | |
| Другие имена | FDD8896DKR FDD8896CT FDD8896-ND FDD8896TR |
In stock Нужно больше?
0,28750 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MMBD7000LT1Gonsemi
MCP2561FD-E/MFMicrochip Technology
SN6501DBVTTexas Instruments
MMBT3906WT1Gonsemi
FDD8896-F085Fairchild Semiconductor
BSC094N06LS5ATMA1Infineon Technologies- BSC027N06LS5ATMA1Infineon Technologies
BC856ALT1Gonsemi
DFLS1100-7Diodes Incorporated
BC846W,115Nexperia USA Inc.
AOD514Alpha & Omega Semiconductor Inc.
