BSC094N06LS5ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
НОВА часть #:
312-2280774-BSC094N06LS5ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC094N06LS5ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 47A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-6 | |
| Базовый номер продукта | BSC094 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 47A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 24A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.3V @ 14µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 9.4 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1300 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 36W (Tc) | |
| Другие имена | 448-BSC094N06LS5ATMA1TR 448-BSC094N06LS5ATMA1DKR 448-BSC094N06LS5ATMA1CT BSC094N06LS5ATMA1-ND SP001458086 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MCP2561FD-E/MFMicrochip Technology
SN6501DBVTTexas Instruments
SBR3U60P1Q-7Diodes Incorporated
BSC0704LSATMA1Infineon Technologies
BC856ALT1Gonsemi- BSS123LT1Gonsemi
BC846W,115Nexperia USA Inc.- BSC065N06LS5ATMA1Infineon Technologies
ISC0703NLSATMA1Infineon Technologies
IAUC120N04S6L012ATMA1Infineon Technologies- BSC0703LSATMA1Infineon Technologies
