BSS215PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2284823-BSS215PH6327XTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSS215PH6327XTSA1
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT23 | |
| Базовый номер продукта | BSS215 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.5A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.2V @ 11µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 3.6 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 346 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500mW (Ta) | |
| Другие имена | BSS215P H6327DKR-ND BSS215P H6327CT BSS215P H6327-ND BSS215P H6327TR-ND BSS215PH6327XTSA1TR SP000928938 BSS215P H6327CT-ND BSS215PH6327XTSA1DKR BSS215P H6327 BSS215P H6327DKR BSS215PH6327 BSS215PH6327XTSA1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSR202NL6327HTSA1Infineon Technologies
BSS308PEH6327XTSA1Infineon Technologies
SI2301-3AMDD- 2N7002K-T1-GE3Vishay Siliconix
ASSR-1530-005EBroadcom Limited- BSS214NH6327XTSA1Infineon Technologies
IRLML2246TRPBFInfineon Technologies
BSS215P H6327Infineon Technologies
IPD35N10S3L-26Infineon Technologies- IRLML6401TRPBFInfineon Technologies
- BSS205NH6327XTSA1Infineon Technologies
IPD50P04P4L11ATMA1Infineon Technologies
