2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
НОВА часть #:
312-2280556-2N7002K-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
2N7002K-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | 2N7002 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 300mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 30 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 350mW (Ta) | |
| Другие имена | 2N7002K-T1-GE3CT 2N7002K-T1-GE3DKR 2N7002K-T1-GE3TR 2N7002KT1GE3 2N7002K-T1-GE3-ND |
In stock Нужно больше?
0,04360 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
2N7002P,215Nexperia USA Inc.
BAS16-7-FDiodes Incorporated- MMBT2222A-7-FDiodes Incorporated
2N7002Tonsemi
2N7002KMDD- ZVN3306FTADiodes Incorporated
SI2333DS-T1-E3Vishay Siliconix- SI2301CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
TSM2N7002KCX RFGTaiwan Semiconductor Corporation
STPS3H100USTMicroelectronics
LD1117S33TRSTMicroelectronics
