IXTH3N200P3HV

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 2000V 3A TO247

НОВА часть #:

312-2273497-IXTH3N200P3HV

Производитель:

Номер детали производителя:

IXTH3N200P3HV

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

N-Channel 2000 V 3A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	IXYS
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247 (IXTH)
Базовый номер продукта	IXTH3
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Polar P3™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	3A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-247-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	2000 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1860 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	520W (Tc)
Другие имена	-IXTH3N200P3HV