IXTH2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO247
НОВА часть #:
312-2278472-IXTH2N170D2
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTH2N170D2
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 1700 V 2A (Tj) 568W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247 (IXTH) | |
| Базовый номер продукта | IXTH2 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Depletion | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2A (Tj) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 0V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5Ohm @ 1A, 0V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | - | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 110 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | Depletion Mode | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1700 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3650 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 568W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTH1N170DHVIXYS
G3R45MT17DGeneSiC Semiconductor
IXTH3N200P3HVIXYS
STW4N150STMicroelectronics
IXTH6N100D2IXYS- G2R1000MT17DGeneSiC Semiconductor
LSIC1MO170E0750Littelfuse Inc.- STW3N170STMicroelectronics