2SK1835-E
MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P
НОВА часть #:
312-2263532-2SK1835-E
Производитель:
Номер детали производителя:
2SK1835-E
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 1500 V 4A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-3P
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-3P | |
| Базовый номер продукта | 2SK1835 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7Ohm @ 2A, 15V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | - | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 Full Pack | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1500 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1700 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 125W (Tc) | |
| Другие имена | -1161-2SK1835-E |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STP3N150STMicroelectronics
IXTH1N200P3IXYS
STFW3N150STMicroelectronics- STP12N120K5STMicroelectronics
- IXTH3N200P3HVIXYS
G2R1000MT17DGeneSiC Semiconductor
IXFA6N120PIXYS
LSIC1MO170E0750Littelfuse Inc.- STFW4N150STMicroelectronics
2SK1317-ERenesas Electronics America Inc
STW3N170STMicroelectronics- STW9N150STMicroelectronics
IXTT12N150HVIXYS