SQD50P08-25L_GE3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
НОВА часть #:
312-2273546-SQD50P08-25L_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQD50P08-25L_GE3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
P-Channel 80 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | SQD50 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 10.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 137 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5350 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 136W (Tc) | |
| Другие имена | SQD50P08-25L_GE3CT SQD50P08-25L_GE3DKR SQD50P08-25L_GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SUD50P08-25L-E3Vishay Siliconix
BZX84C10LT1Gonsemi
2N7002BKW,115Nexperia USA Inc.
1N5349BRLGonsemi
SIR871DP-T1-GE3Vishay Siliconix
TJ50S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
ISO1211DTexas Instruments
NB3V1104CDTR2Gonsemi
EXB-38V101JVPanasonic Electronic Components- MCU60P06-TPMicro Commercial Co
SQ2398ES-T1_GE3Vishay Siliconix
