TPN4R806PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
НОВА часть #:
312-2281987-TPN4R806PL,L1Q
Производитель:
Номер детали производителя:
TPN4R806PL,L1Q
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 72A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| Базовый номер продукта | TPN4R806 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSIX-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 72A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 36A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 300µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2770 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 630mW (Ta), 104W (Tc) | |
| Другие имена | 264-TPN4R806PLL1QTR 264-TPN4R806PLL1QCT 264-TPN4R806PLL1QDKR TPN4R806PL,L1Q(M |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LAN8742AI-CZ-TRMicrochip Technology
EB2532JA12-25.000M TREcliptek
MAX17613AATP+Analog Devices Inc./Maxim Integrated
CHS-02TANidec Copal Electronics
TUSB320HIRWBRTexas Instruments
ECS-240-9-33B-CWN-TRECS Inc.
MC74VHC1G09DFT1Gonsemi
MIC5332-SSYMT-TRMicrochip Technology
LM74700QDBVRQ1Texas Instruments
