DMN65D8LFB-7
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
НОВА часть #:
312-2361363-DMN65D8LFB-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN65D8LFB-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | X1-DFN1006-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN65 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 260mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 115mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-UFDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 25 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 430mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN65D8LFB-7DIDKR DMN65D8LFB-7DITR DMN65D8LFB-7DICT DMN65D8LFB-7-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
GDZ3V3LP3-7Diodes Incorporated
DMN62D1LFB-7BDiodes Incorporated- DMN62D1SFB-7BDiodes Incorporated
- DMP58D0LFB-7Diodes Incorporated
- DMN65D8LFB-7BDiodes Incorporated
- DMN62D0LFB-7Diodes Incorporated
NCP170AMX330TCGonsemi- DMN1150UFB-7BDiodes Incorporated
MIC7221YM5-TRMicrochip Technology