PMV280ENEAR
MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
НОВА часть #:
312-2284323-PMV280ENEAR
Производитель:
Номер детали производителя:
PMV280ENEAR
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 1.1A (Ta) 580mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-236AB | |
| Базовый номер продукта | PMV280 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.1A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385mOhm @ 1.1A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.7V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 190 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 580mW (Ta) | |
| Другие имена | PMV280ENEAR-ND 1727-8341-1 1727-8341-2 1727-8341-6 934070697215 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TSM2328CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation
PMV280ENEA,215Nexperia USA Inc.
IRLML0100TRPBFInfineon Technologies
DMP10H4D2S-7Diodes Incorporated
SSM3K361R,LFToshiba Semiconductor and Storage
PCA9306USGonsemi
SQM100P10-19L_GE3Vishay Siliconix
1N4148W-7-FDiodes Incorporated- DMN10H220L-7Diodes Incorporated
PMV213SN,215Nexperia USA Inc.
