PMV213SN,215
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
НОВА часть #:
312-2282445-PMV213SN,215
Производитель:
Номер детали производителя:
PMV213SN,215
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 1.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-236AB | |
| Базовый номер продукта | PMV213 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.9A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 7 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 330 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 280mW (Tj) | |
| Другие имена | 934057521215 568-8112-1-ND 568-8112-1 568-8112-2 PMV213SN,215-ND PMV213SN T/R 1727-6294-6 568-8112-6 2156-PMV213SN,215-NEX PMV213SN215 1727-6294-1 568-8112-6-ND 1727-6294-2 NEXNEXPMV213SN,215 PMV213SN T/R-ND 568-8112-2-ND |
In stock Нужно больше?
0,20080 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- MMSZ4697T1Gonsemi
- PMV240SPRNexperia USA Inc.
- 2N7002NTE Electronics, Inc
- SI2324A-TPMicro Commercial Co
- BSS84MDD
- NSR0340HT1Gonsemi
- FCX495TADiodes Incorporated
- IRLML0060TRPBFInfineon Technologies
- BAS40W-7-FDiodes Incorporated
- ZXMN10A07FTADiodes Incorporated
- 2N7002,215Nexperia USA Inc.
- BAS21HT1GFairchild Semiconductor
- MMSZ5246B-7-FDiodes Incorporated
- MMBTA42LT1Gonsemi
- BSS138onsemi














