FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
НОВА часть #:
312-2264265-FDD1600N10ALZ
Производитель:
Номер детали производителя:
FDD1600N10ALZ
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FDD1600 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6.8A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 3.4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.8V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 3.61 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 225 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 14.9W (Tc) | |
| Другие имена | FDD1600N10ALZCT FDD1600N10ALZDKR ONSONSFDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZTR 2156-FDD1600N10ALZ-OS |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
HUF76609D3STonsemi
B0530WS RRGTaiwan Semiconductor Corporation- FQD5P20TMonsemi
FDD86252onsemi
NTMFS015N10MCLT1Gonsemi
EPC2036EPC
MD1213K6-GMicrochip Technology- FQD11P06TMonsemi
- IRFR120NTRPBFInfineon Technologies
