SIR120DP-T1-RE3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта	SIR120
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET® Gen IV
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	24.7A (Ta), 106A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.55mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	94 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	80 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	4150 pF @ 40 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	5.4W (Ta), 100W (Tc)
Другие имена	SIR120DP-T1-RE3TR SIR120DP-T1-RE3CT SIR120DP-T1-RE3DKR