SI8817DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
НОВА часть #:
312-2284851-SI8817DB-T2-E1
Производитель:
Номер детали производителя:
SI8817DB-T2-E1
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 2.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 4-Microfoot | |
| Базовый номер продукта | SI8817 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.1A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 76mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 19 nC @ 8 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 4-XFBGA | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 615 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500mW (Ta) | |
| Другие имена | SI8817DB-T2-E1TR SI8817DB-T2-E1DKR SI8817DB-T2-E1CT SI8817DBT2E1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NCP703MX33TCGonsemi
FT230XQ-RFTDI, Future Technology Devices International Ltd
SI8819EDB-T2-E1Vishay Siliconix
