SI8819EDB-T2-E1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT

НОВА часть #:

312-2265226-SI8819EDB-T2-E1

Производитель:

Номер детали производителя:

SI8819EDB-T2-E1

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

P-Channel 12 V 2.9A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Базовый номер продукта	SI8819
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	2.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.5V, 3.7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs(th) (макс.) @ Id	900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	17 nC @ 8 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	4-XFBGA
VGS (макс.)	±8V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	12 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	650 pF @ 6 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	900mW (Ta)
Другие имена	SI8819EDB-T2-E1-ND SI8819EDB-T2-E1TR SI8819EDB-T2-E1DKR SI8819EDB-T2-E1CT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!