FDS6670A

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

НОВА часть #:

312-2282424-FDS6670A

Производитель:

Номер детали производителя:

FDS6670A

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	FDS6670
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	PowerTrench®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	13A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	30 nC @ 5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2220 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta)
Другие имена	FDS6670ADKR FDS6670ACT-NDR FDS6670ATR-NDR FDS6670ATR FDS6670ACT