SI4116DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
НОВА часть #:
312-2264387-SI4116DY-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4116DY-T1-GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 25 V 18A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SI4116 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 18A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1925 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) | |
| Другие имена | SI4116DY-T1-GE3TR SI4116DY-T1-GE3DKR SI4116DY-T1-GE3CT SI4116DYT1GE3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDS6670Aonsemi- FDS6574Aonsemi
150120VS75000Würth Elektronik
MAX3232IDRG4Texas Instruments
LT3045EMSE-1#PBFAnalog Devices Inc.
MAX6226ALA25+Analog Devices Inc./Maxim Integrated
SK34BTRSMC Diode Solutions
CSD17307Q5ATexas Instruments
J49SMH-F-G-G-K-8M0Jauch Quartz
BC817-16LT3Gonsemi- 150120BS75000Würth Elektronik
IRLHS6342TRPBFInfineon Technologies
PDZ12BGWJNexperia USA Inc.
SI4116DY-T1-E3Vishay Siliconix
