IRF8707TRPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
НОВА часть #:
312-2274776-IRF8707TRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF8707TRPBF
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO | |
| Базовый номер продукта | IRF8707 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 11A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.9mOhm @ 11A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.35V @ 25µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 9.3 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 760 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta) | |
| Другие имена | SP001555780 IRF8707TRPBFDKR IRF8707TRPBFCT IRF8707TRPBFTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDS6670Aonsemi- FDS6690Aonsemi
SI4134DY-T1-GE3Vishay Siliconix
IRF7807ZTRPBFInfineon Technologies- IRF9321TRPBFInfineon Technologies
TXS0102DCURTexas Instruments- IRF7416TRPBFInfineon Technologies
- IRF8736TRPBFInfineon Technologies
HSMG-C197Broadcom Limited- IRF9310TRPBFInfineon Technologies
