DMN3026LVT-7
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
НОВА часть #:
312-2284816-DMN3026LVT-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN3026LVT-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 6.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-23-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TSOT-23-6 | |
| Базовый номер продукта | DMN3026 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6.6A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 6.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 643 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.2W (Ta) | |
| Другие имена | DMN3026LVT-7DICT DMN3026LVT-7DIDKR DMN3026LVT-7DITR |
In stock Нужно больше?
0,13150 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN4060SVT-7Diodes Incorporated
ZXCT1107SA-7Diodes Incorporated
SI2300DS-T1-GE3Vishay Siliconix
DMP3030SN-7Diodes Incorporated
SI3443DDV-T1-GE3Vishay Siliconix
AP5724WG-7Diodes Incorporated
PCF85063TP/1ZNXP USA Inc.
