SI3443DDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP
НОВА часть #:
312-2284499-SI3443DDV-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI3443DDV-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 4A (Ta), 5.3A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-TSOP | |
| Базовый номер продукта | SI3443 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4A (Ta), 5.3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 4.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 30 nC @ 8 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 970 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) | |
| Другие имена | SI3443DDV-T1-GE3DKR SI3443DDV-T1-GE3CT SI3443DDV-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
PMN42XPEAHNexperia USA Inc.
LBEE5KL1DX-883Murata Electronics
7490100111AWürth Elektronik
SI3493DDV-T1-GE3Vishay Siliconix- DMN3026LVT-7Diodes Incorporated
SI3443CDV-T1-E3Vishay Siliconix
DMP3105LVT-7Diodes Incorporated- DMP2067LVT-7Diodes Incorporated
